1.关断时产生尖峰电压的原因：电路中的寄生电感（如MOS管封装电感、布线电感、变压器漏感）与MOS管结电容在关断瞬间发生LC振荡，同时MOS管关断速度极快，导致电感上产生“di/dt”压降叠加，形成尖峰电压。
2.公式推导证明：
(1)关断瞬间：MOS管电流从 快速下降到0，电流变化率 为负值（电流减小所以变化率为负），因此电感两端会产生一个反向感应电压 （极性为“阻碍电流减小”），满足
由于MOS管截止，这个反向感应电压会全部叠加在MOS管两端，即：
其中 为输入电压，是寄生电感产生的感应电压——这就是尖峰电压的核心来源.
(2)LC振荡会进行尖峰放大：
实际电路中，MOS管存在结电容 （或并联的吸收电容），与寄生电感 L 构成 LC 振荡回路。
关断时，电感储存的能量 会向电容 转移，充电过程满足能量守恒：
整理得振荡过程中的最大尖峰电压 ：
该公式表明：寄生电感 L 越大、结电容越小、导通电流越大，关断时的尖峰电压 就越高。
3.抑制尖峰电压的方法：从以上尖峰电压的推导公式发现，尖峰电压的大小与关断时间,寄生电感L，结电容有关。所以抑制MOS管尖峰电压的核心思路是削弱寄生电感的感应效应、优化能量释放路径、减缓电流变化率。
（1）减小功率回路寄生电感
缩短功率回路布线长度，避免导线绕弯、交叉，优先采用“短、粗、直”的铜箔或导线功率回路；（MOS管、电感、电容、负载）尽量紧凑布局，减少回路面积（寄生电感与回路面积正相关）；选用低封装电感的MOS管（如DFN、TO-252封装，比传统TO-220封装寄生电感小50%以上），避免使用引脚过长的器件。
（2）增加能量吸收/缓冲元件
在MOS管漏极与源极之间并联“电阻+电容”串联的缓冲器。电容直接吸收寄生电感的能量，电阻抑制LC振荡并消耗部分能量，典型选型为电容1nF~10nF、电阻10Ω~100Ω（需根据实际功率匹配）。
并联TVS瞬态抑制二极管：在MOS管D-S间反向并联TVS，当尖峰电压超过TVS的击穿电压时，TVS迅速导通，将尖峰电压钳位在安全值（需确保TVS的耐压值高于正常工作电压，且响应速度≤10ns）。
（3）优化MOS管参数与驱动设计：
选用高结电容的MOS管：越大，对寄生电感能量的“容纳能力”越强，尖峰电压越低（需平衡开关损耗，过大会增加开通损耗）。
-减缓MOS管关断速度：通过调整驱动电路的限流电阻（增大栅极串联电阻），延长关断时间，降低电流变化率，从而减小寄生电感的感应电压（需注意：关断时间过长可能增加MOS管的关断损耗，需在尖峰与损耗间权衡）。